首頁 >>> 技術文章

半導體基礎

1、什么叫半導體？

　　答：半導體顧名思義，就是指它的導電能力介于導體和絕緣體之間的物質。常用的半導體材料有硅（Si）和鍺（Ge）等。

　　2、半導體主要有哪些特性？

　　答：半導體主要有三個特性：1）光敏特性；2）熱敏特性；3）摻雜特性。
　　所謂光敏特性是指某些半導體受到強烈光線照射時，其導電性能大大增強；光線移開后，其導電性能大大減弱。所謂熱敏特性是指外界環境溫度升高時，半導體的導電性能也隨著溫度的升高而增強。所謂摻雜特性是指在純凈的半導體中，如果摻入極微量的雜質可使其導電性能劇增。

　　3、什么是P型半導體？

　　答：根據半導體的摻雜特性，在半導體中摻入微量的硼、鋁、銦、鎵等元素后，半導體中就會產生許多缺少電子的空穴，使半導體中的空穴濃度大大高于自由電子的濃度，這種靠空穴導電的半導體是P型半導體。

　　4、什么是N型半導體？

　　答：在半導體中摻入微量磷、銻、砷等元素后，半導體中就會產生許多帶負電的電子，使半導體中自由電子的濃度大大高于空穴濃度。這種靠電子導電的半導體是N型半導體。

　　5、如何判別電路中晶體管的工作狀態？

　　答：判別電路中晶體管工作狀態，通常通過測量晶體管的極間電壓來判別。
當VBE<0.5V時，管子為截止狀態，為使截止可靠，常使VBE≤0，此時發射結和集電結均處于反向偏置狀態。當VCE=VBE時，管子為飽和狀態。而當VCEVB>VE時，發射結處于正向偏置，集電結處于反向偏置。此時管子工作在放大狀態。

　　6、如何判別晶體管是硅管還是鍺管？

　　答：可用萬用表R X 100或R X 1K檔測量管子PN結的正向電阻，對于NPN型管子，負表筆接基極，正表筆任意一極。對于PNP型管子，測量方法與NPN管相反。如果表針的位置在表盤中間，此管為硅管。如果表針位置在電阻零端時，該管為鍺管。

　　7、晶體管的發射極與集電極可否調換使用？

　　答：將晶體管的發射極與集電極調換使用是可以的。稱這種方法為倒置使用。但倒置后降低了晶體管的放大倍數，因此很少在放大電路中采用這種方法。若管子倒置使用要特別注意：管子的集-基極的反向電壓應小于允許的反向擊穿電壓，否則要引起晶體管的損壞。

　　8、場效應管有哪些種類？它們有哪些不同之處？

　　答：場效應管有兩大類，結型場效應管和絕緣柵型場效應管。每種類型的場效應管按導電溝道又可分為N型溝道和P型溝道，按工作方式又可以分為增強型和耗盡型。
　　絕緣柵型場效應管與結型場效應管的不同之處在于它們的導電機構不同。絕緣柵型場效應管是利用感應電荷的多少來改變導電溝道的性質，而結型場院效應管則是利用導電溝道之間的耗盡區的大小來控制漏極電流的。絕緣柵型場效應管可分為增強型場效應管和耗盡型場效應管，而結型場效應管均為耗盡型場效應管。

　　9、使用場效應管時應注意哪些事項？

　　答：場效應管在使用時除了注意不要使主要參數超過允許值外，對于絕緣柵型場效應管還應特別注意由于感應電壓過高而造成的擊穿問題。
　　一般在使用時應注意以下幾點：
　?。?）場效應管在使用時要注意不同類型的柵源漏各極電壓的極性。保證電壓和電流不超過*大允許值。
　　（2）為了防止柵極擊穿，要求一切測試儀器、電烙鐵都必須有外接地線。焊接時，用帶有接地線的小功率烙鐵焊接，或切斷電源后利用余熱焊接。焊接時還應當先焊源極后焊柵極。
　　（3）絕緣柵場效應管由于輸入電阻極高，故不能在開路狀態下保存。即無論管子使用與否，都應將三個電極短路或用鋁（錫）箔包好，不要用手指觸摸以防止感應電勢將柵極擊穿。結型場效應管可以在開路狀態下保存。
　?。?）場效應管（包括結型和絕緣柵型）的漏極與源極通常制成對稱的，漏極和源極可以互換使用。但是有的絕緣柵場效應管在制造產品時已把源極和襯底連接在一起了，所以這種管子的源極和漏極就不能互換。有的管子則將襯底單獨引出一個管腳，形成四個管腳。一般情況P襯底接低電位，N襯底接高電位。另外，由于陶瓷封裝的芝麻型管有光敏特性，使用時應注意避光。

　　10、如何識別場效應晶體管的管腳？

　　答：測量場效應晶體管的管腳可以用萬用表R X 1K電阻擋位進行測試。試探結型場效應管的哪個管腳為柵極的方法是：將萬用表中的紅表筆接一個管腳，黑表筆分別去接另外兩個管腳。如果兩次測出的結果相同，所測的阻值都很大或所測的阻值都很小，則可判斷出紅表筆所測的管腳為柵極。

上一篇：電容器的型號命名方法
下一篇：繼電器基礎

聯系人：付先生
電話： 0755-83986300
0755-83980158
傳真： 0755-83980158
公司郵箱：df@gdojbk.com
在線客服:
285480356
375328904
1375465239

粵ICP備11032899號